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TSM900N06CH X0G

MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251

भाग संख्या

TSM900N06CH X0G

निर्माता/ब्रांड

Taiwan Semiconductor Corporation

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-251-3 Stub Leads, IPak

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-251 (IPAK)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

25W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

11A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

90 mOhm @ 6A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

9.3nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

500pF @ 15V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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