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CSD13201W10

MOSFET N-CH 12V 1.6A 4DSBGA

भाग संख्या

CSD13201W10

निर्माता/ब्रांड

Texas Instruments

शृंखला

NexFET™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

4-UFBGA, DSBGA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

4-DSBGA (1x1)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.2W (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

12V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

1.6A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

34 mOhm @ 1A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

2.9nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

462pF @ 6V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.8V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±8V

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