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CSD16415Q5T

MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON

भाग संख्या

CSD16415Q5T

निर्माता/ब्रांड

Texas Instruments

शृंखला

NexFET™

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerTDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-VSON-CLIP (5x6)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

3.2W (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

25V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

1.15 mOhm @ 40A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.9V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

29nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

4100pF @ 12.5V

वीजीएस (अधिकतम)

+16V, -12V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

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