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CSD22202W15

MOSFET P-CH 8V 10A 9DSBGA

भाग संख्या

CSD22202W15

निर्माता/ब्रांड

Texas Instruments

शृंखला

NexFET™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

9-UFBGA, DSBGA

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

9-DSBGA

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.5W (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

10A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

12.2 mOhm @ 2A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

8.4nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1390pF @ 4V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.5V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

-6V

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