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CSD23381F4

MOSFET P-CH 12V 3PICOSTAR

भाग संख्या

CSD23381F4

निर्माता/ब्रांड

Texas Instruments

शृंखला

NexFET™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

3-XFDFN

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

3-PICOSTAR

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

500mW (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

12V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.3A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

175 mOhm @ 500mA, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.2V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

1.14nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

236pF @ 6V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

1.8V, 4.5V

वीजीएस (अधिकतम)

-8V

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