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TH58BVG2S3HTA00

IC EEPROM 4GBIT 25NS 48TSOP

भाग संख्या

TH58BVG2S3HTA00

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Memory America, Inc.

शृंखला

Benand™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tray

तकनीकी

FLASH - NAND (SLC)

परिचालन तापमान

0°C ~ 70°C (TA)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

48-TSOP I

वोल्टेज आपूर्ति

2.7 V ~ 3.6 V

मेमोरी प्रकार

Non-Volatile

मेमोरी का आकार

4Gb (512M x 8)

पहूंच समय

25ns

घड़ी की आवृत्ति

मेमोरी प्रारूप

Flash

चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ

25ns

मेमोरी इंटरफ़ेस

Parallel

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