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2SK2009TE85LF

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

भाग संख्या

2SK2009TE85LF

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Discontinued at Digi-Key

पैकेजिंग

Digi-Reel®

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

SC-59-3

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

200mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

200mA (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

2 Ohm @ 50MA, 2.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.5V @ 100µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

70pF @ 3V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

2.5V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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