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4N25(SHORT,F)

OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 6DIP

भाग संख्या

4N25(SHORT,F)

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

निवेष का प्रकार

परिचालन तापमान

-55°C ~ 100°C

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

6-DIP (0.300", 7.62mm)

उत्पादन का प्रकार

Transistor with Base

चैनलों की संख्या

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-DIP

वर्तमान - आउटपुट/चैनल

100mA

वोल्टेज - अलगाव

2500Vrms

उत्थान/पतन का समय (प्रकार)

2µs, 200µs

वोल्टेज - आउटपुट (अधिकतम)

30V

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (टाइप)

1.15V

वर्तमान - डीसी फॉरवर्ड (यदि) (अधिकतम)

80mA

वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (न्यूनतम)

20% @ 10mA

वर्तमान स्थानांतरण अनुपात (अधिकतम)

चालू/बंद करने का समय (प्रकार)

Vce संतृप्ति (अधिकतम)

500mV

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