खरीदें Toshiba Semiconductor and Storage GT10J312(Q) IGBT 600V 10A 60W TO220SM

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GT10J312(Q)

IGBT 600V 10A 60W TO220SM

भाग संख्या

GT10J312(Q)

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

निवेष का प्रकार

Standard

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

शक्ति - अधिकतम

60W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220SM

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

200ns

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

10A

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

600V

आईजीबीटी प्रकार

Vce(on) (अधिकतम) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

वर्तमान - कलेक्टर स्पंदित (आईसीएम)

20A

ऊर्जा स्विचिंग

गेट प्रभारी

टीडी (चालू/बंद) @ 25 डिग्री सेल्सियस

400ns/400ns

परीक्षण स्थिति

300V, 10A, 100 Ohm, 15V

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