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RN1901FETE85LF

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

भाग संख्या

RN1901FETE85LF

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Discontinued at Digi-Key

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SOT-563, SOT-666

शक्ति - अधिकतम

100mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

ES6

ट्रांजिस्टर प्रकार

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

100mA

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

50V

वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी

300mV @ 250µA, 5mA

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

100nA (ICBO)

डीसी करंट गेन (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई

30 @ 10mA, 5V

आवृत्ति - संक्रमण

250MHz

अवरोधक - आधार (R1)

4.7 kOhms

अवरोधक - उत्सर्जक आधार (R2)

4.7 kOhms

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