खरीदें Toshiba Semiconductor and Storage RN1907FE,LF(CT TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

DataSheets

RN1907FE,LF(CT

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

भाग संख्या

RN1907FE,LF(CT

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

भाग स्थिति

Active

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SOT-563, SOT-666

शक्ति - अधिकतम

100mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

ES6

ट्रांजिस्टर प्रकार

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

वर्तमान - कलेक्टर (आईसी) (अधिकतम)

100mA

वोल्टेज - कलेक्टर एमिटर ब्रेकडाउन (अधिकतम)

50V

वीसीई संतृप्ति (अधिकतम) @ आईबी, आईसी

300mV @ 250µA, 5mA

वर्तमान - कलेक्टर कटऑफ (अधिकतम)

100nA (ICBO)

डीसी करंट गेन (एचएफई) (न्यूनतम) @ आईसी, वीसीई

80 @ 10mA, 5V

आवृत्ति - संक्रमण

250MHz

अवरोधक - आधार (R1)

10 kOhms

अवरोधक - उत्सर्जक आधार (R2)

47 kOhms

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 38648 PCS

संपर्क जानकारी