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TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

MOSFET P-CH 60V 8A DPAK-3

भाग संख्या

TJ8S06M3L(T6L1,NQ)

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSVI

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DPAK+

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

27W (Tc)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

8A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

104 mOhm @ 4A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

19nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

890pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

6V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

+10V, -20V

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