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TPCP8004(TE85L,F)

MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8

भाग संख्या

TPCP8004(TE85L,F)

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

U-MOSIV

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SMD, Flat Lead

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PS-8 (2.9x2.4)

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

840mW (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

8.3A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

8.5 mOhm @ 4.2A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

26nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1270pF @ 10V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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