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TRS10E65C,S1Q

DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L

भाग संख्या

TRS10E65C,S1Q

निर्माता/ब्रांड

Toshiba Semiconductor and Storage

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-2

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220-2L

डायोड प्रकार

Silicon Carbide Schottky

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

10A (DC)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.7V @ 10A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

90µA @ 650V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

650V

रफ़्तार

No Recovery Time > 500mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

0ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

175°C (Max)

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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