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B125C800DM-E3/45

BRIDGE RECT GPP 0.9A 200V DFM

भाग संख्या

B125C800DM-E3/45

निर्माता/ब्रांड

Vishay Semiconductor Diodes Division

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-40°C ~ 125°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-EDIP (0.300", 7.62mm)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

DFM

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

200V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

900mA

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1V @ 900mA

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 200V

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