खरीदें Vishay Semiconductor Diodes Division B80C800G-E4/51 DIODE BRIDGE 0.9A 125V WOG

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B80C800G-E4/51

DIODE BRIDGE 0.9A 125V WOG

भाग संख्या

B80C800G-E4/51

निर्माता/ब्रांड

Vishay Semiconductor Diodes Division

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

तकनीकी

Standard

परिचालन तापमान

-40°C ~ 125°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

4-Circular, WOG

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

WOG

डायोड प्रकार

Single Phase

वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)

125V

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

900mA

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1V @ 900mA

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 125V

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