Vishay Semiconductor Diodes Division
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MBL110S-M3/I
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MBL110S-M3/I

BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 1A 4SMD
भाग संख्या
MBL110S-M3/I
निर्माता/ब्रांड
Vishay Semiconductor Diodes Division
भाग स्थिति
Active
तकनीकी
Standard
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
4-SMD, Gull Wing
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
4-SMD
डायोड प्रकार
Single Phase
वोल्टेज - पीक रिवर्स (अधिकतम)
1kV
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)
1A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि
950mV @ 400mA
करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर
5µA @ 1000V
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