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SI3529DV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

भाग संख्या

SI3529DV-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET®

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

शक्ति - अधिकतम

1.4W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

6-TSOP

एफईटी प्रकार

N and P-Channel

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

40V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

2.5A, 1.95A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

125 mOhm @ 2.2A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

3V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

7nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

205pF @ 20V

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