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SI6913DQ-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP

भाग संख्या

SI6913DQ-T1-E3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Digi-Reel®

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

शक्ति - अधिकतम

830mW

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-TSSOP

एफईटी प्रकार

2 P-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

12V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

4.9A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

21 mOhm @ 5.8A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

900mV @ 400µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

28nC @ 4.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

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