खरीदें Vishay Siliconix SIDR140DP-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

छवि प्रतिनिधित्व हो सकती है।
उत्पाद विवरण के लिए विनिर्देश देखें.

DataSheets

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC

भाग संख्या

SIDR140DP-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET® Gen IV

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SO-8

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SO-8DC

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

25V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

79A (Ta), 100A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

0.67 mOhm @ 20A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

170nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

8150pF @ 10V

वीजीएस (अधिकतम)

+20V, -16V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

कोट अनुरोध करें

कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।

स्टॉक में 48713 PCS

संपर्क जानकारी

संबंधित उत्पाद

SIDR140DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC