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SIDR610DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 200V PPAK SO-8DC

भाग संख्या

SIDR610DP-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SO-8

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SO-8DC

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

6.25W (Ta), 125W (Tc)

एफईटी प्रकार

N-Channel

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

200V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

8.9A (Ta), 39.6A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

31.9 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

38nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1380pF @ 100V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

7.5V, 10V

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