खरीदें Vishay Siliconix SISF00DN-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

चीन
पेशेवर इलेक्ट्रॉनिक घटक आपूर्तिकर्ता

कैटलाग निर्माताओं सीएन आईसी

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SISF00DN-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12

भाग संख्या

SISF00DN-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET® Gen IV

भाग स्थिति

Active

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® 1212-8SCD

शक्ति - अधिकतम

69.4W (Tc)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® 1212-8SCD

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual) Common Drain

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

60A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.1V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

53nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2700pF @ 15V

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