खरीदें Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

चीन
पेशेवर इलेक्ट्रॉनिक घटक आपूर्तिकर्ता

कैटलाग निर्माताओं सीएन आईसी

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DataSheets

SIZ200DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

भाग संख्या

SIZ200DT-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET® Gen IV

भाग स्थिति

Active

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerWDFN

शक्ति - अधिकतम

4.3W (Ta), 33W (Tc)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-PowerPair® (3.3x3.3)

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.4V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

28nC @ 10V, 30nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

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