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SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3

भाग संख्या

SIZF300DT-T1-GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

TrenchFET® Gen IV

भाग स्थिति

Active

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-PowerWDFN

शक्ति - अधिकतम

3.8W (Ta), 48W (Tc), 4.3W (Ta), 74W (Tc)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

8-PowerPair® (6x5)

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

23A (Ta), 75A (Tc), 34A (Ta), 141A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

4.5 mOhm @ 10A, 10V, 1.84 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.2V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

22nC @ 10V, 62nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1100pF @ 15V, 3150pF @ 15V

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