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SQJ560EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8

भाग संख्या

SQJ560EP-T1_GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SO-8 Dual

शक्ति - अधिकतम

34W (Tc)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SO-8 Dual

एफईटी प्रकार

N and P-Channel

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

60V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

30A (Tc), 18A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

30nC @ 10V, 45nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1650pF @ 25V

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