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SQJ914EP-T1_GE3

SQJ914EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 30V POWERPAK SO8
भाग संख्या
SQJ914EP-T1_GE3
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Cut Tape (CT)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
PowerPAK® SO-8 Dual
शक्ति - अधिकतम
27W (Tc)
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
PowerPAK® SO-8 Dual
एफईटी प्रकार
2 N-Channel (Dual)
एफईटी सुविधा
Standard
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
30V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
30A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
12 mOhm @ 4.5A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
25nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
1110pF @ 15V
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के कीवर्ड SQJ914EP-T1_GE3
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