SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
भाग संख्या
SQM100P10-19L_GE3
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
तकनीकी
MOSFET (Metal Oxide)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 175°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-263 (D²Pak)
विद्युत अपव्यय (अधिकतम)
375W (Tc)
एफईटी प्रकार
P-Channel
एफईटी सुविधा
-
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
100V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
93A (Tc)
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
19 mOhm @ 30A, 10V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
2.5V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
350nC @ 10V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
14100pF @ 25V
ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)
4.5V, 10V
वीजीएस (अधिकतम)
±20V
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