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VQ2001P-2

MOSFET 4P-CH 30V 0.6A 14DIP

भाग संख्या

VQ2001P-2

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tube

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

14-DIP

शक्ति - अधिकतम

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

14-DIP

एफईटी प्रकार

4 P-Channel

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

600mA

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

2 Ohm @ 1A, 12V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

4.5V @ 1mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

150pF @ 15V

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