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BTA2008-1000DN/L03EP

BTA2008-1000DN/L03/TO-92/STANDAR

भाग संख्या

BTA2008-1000DN/L03EP

निर्माता/ब्रांड

WeEn Semiconductors

शृंखला

DT-Triac™

भाग स्थिति

Active

परिचालन तापमान

150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

विन्यास

Single

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-92-3

वर्तमान - होल्ड (Ih) (अधिकतम)

10mA

वोल्टेज - ऑफ स्टेट

1kV

वोल्टेज - गेट ट्रिगर (वीजीटी) (अधिकतम)

करंट - गेट ट्रिगर (आईजीटी) (अधिकतम)

5mA

वर्तमान - स्थिति पर (यह (आरएमएस)) (अधिकतम)

800mA

करंट - नॉन रिप. सर्ज 50, 60 हर्ट्ज़ (आईटीएसएम)

9A, 9.9A

त्रिक प्रकार

Logic - Sensitive Gate

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