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BYC58X-600,127

DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F

भाग संख्या

BYC58X-600,127

निर्माता/ब्रांड

WeEn Semiconductors

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220FP

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

3.2V @ 8A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

150µA @ 600V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

600V

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

12.5ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

150°C (Max)

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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