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BYC8B-600PJ

DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK

भाग संख्या

BYC8B-600PJ

निर्माता/ब्रांड

WeEn Semiconductors

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

D2PAK

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

3.4V @ 8A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

20µA @ 600V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

600V

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

18ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

175°C (Max)

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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