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BYR29X-800PQ

DIODE GEN PURP 800V 8A TO220F

भाग संख्या

BYR29X-800PQ

निर्माता/ब्रांड

WeEn Semiconductors

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-2 Full Pack

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220F

डायोड प्रकार

Standard

वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.7V @ 8A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 800V

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

800V

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

55ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

175°C (Max)

कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ

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