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BYV415K-600PQ

DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P

भाग संख्या

BYV415K-600PQ

निर्माता/ब्रांड

WeEn Semiconductors

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tube

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-3P-3, SC-65-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-3P

डायोड प्रकार

Standard

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

2.1V @ 15A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 600V

डायोड विन्यास

1 Pair Common Cathode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

600V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

15A

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

45ns

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-65°C ~ 175°C

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