NXPSC04650Q
DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC
भाग संख्या
NXPSC04650Q
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tube
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-220-2
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-220AC
डायोड प्रकार
Silicon Carbide Schottky
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)
4A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि
1.7V @ 4A
करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर
170µA @ 650V
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)
650V
रफ़्तार
No Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)
0ns
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
175°C (Max)
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ
130pF @ 1V, 1MHz
कोट अनुरोध करें
कृपया सभी आवश्यक फ़ील्ड भरें और SUBMIT पर क्लिक करें, हम 12 घंटे में ईमेल द्वारा आपसे संपर्क करेंगे। यदि आपको कोई समस्या है, तो कृपया [email protected] पर संदेश या ईमेल छोड़ें एस, हम यथाशीघ्र जवाब देंगे।
स्टॉक में 19505 PCS
संपर्क जानकारी
संबंधित उत्पाद
के कीवर्ड NXPSC04650Q
NXPSC04650Q इलेक्ट्रॉनिक घटक
NXPSC04650Q बिक्री
NXPSC04650Q आपूर्तिकर्ता
NXPSC04650Q वितरक
NXPSC04650Q डेटा तालिका
NXPSC04650Q तस्वीरें
NXPSC04650Q कीमत
NXPSC04650Q ऑफर
NXPSC04650Q सबसे कम कीमत
NXPSC04650Q खोजें
NXPSC04650Q खरीदारी
NXPSC04650Q चिप