NXPSC08650Q
DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220AC
भाग संख्या
NXPSC08650Q
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tube
माउन्टिंग का प्रकार
Through Hole
पैकेज/केस
TO-220-2
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
TO-220AC
डायोड प्रकार
Silicon Carbide Schottky
वर्तमान - औसत संशोधित (आईओ)
8A
वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि
1.7V @ 8A
करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर
230µA @ 650V
वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)
650V
रफ़्तार
No Recovery Time > 500mA (Io)
रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)
0ns
ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन
175°C (Max)
कैपेसिटेंस @ वीआर, एफ
260pF @ 1V, 1MHz
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