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WNS20S100CQ

WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKI

भाग संख्या

WNS20S100CQ

निर्माता/ब्रांड

WeEn Semiconductors

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

माउन्टिंग का प्रकार

Through Hole

पैकेज/केस

TO-220-3

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

TO-220E

डायोड प्रकार

Schottky

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

950mV @ 10A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

50µA @ 100V

डायोड विन्यास

1 Pair Common Cathode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

100V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

10A

रफ़्तार

Fast Recovery = 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

150°C (Max)

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