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MSRT100120(A)D

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

भाग संख्या

MSRT100120(A)D

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

Three Tower

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

Three Tower

डायोड प्रकार

Standard

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.1V @ 100A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 1200V

डायोड विन्यास

1 Pair Series Connection

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

1200V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

100A

रफ़्तार

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

-55°C ~ 150°C

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