खरीदें GeneSiC Semiconductor MSRT150120(A) DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER

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MSRT150120(A)

DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER

भाग संख्या

MSRT150120(A)

निर्माता/ब्रांड

GeneSiC Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

Three Tower

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

Three Tower

डायोड प्रकार

Standard

वोल्टेज - फॉरवर्ड (वीएफ) (अधिकतम) @ यदि

1.2V @ 150A

करंट - रिवर्स लीकेज @ वीआर

10µA @ 600V

डायोड विन्यास

1 Pair Common Cathode

वोल्टेज - डीसी रिवर्स (वीआर) (अधिकतम)

1200V

करंट - औसत रेक्टिफाइड (Io) (प्रति डायोड)

150A (DC)

रफ़्तार

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

रिवर्स पुनर्प्राप्ति समय (trr)

ऑपरेटिंग तापमान - जंक्शन

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