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BSO200N03S

MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO

भाग संख्या

BSO200N03S

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

OptiMOS™

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-DSO-8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.56W (Ta)

एफईटी प्रकार

N-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

20 mOhm @ 8.8A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2V @ 10µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

6.5nC @ 5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

840pF @ 15V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

4.5V, 10V

वीजीएस (अधिकतम)

±20V

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