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BSO200P03SHXUMA1

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8DSO

भाग संख्या

BSO200P03SHXUMA1

निर्माता/ब्रांड

Infineon Technologies

शृंखला

OptiMOS™

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

तकनीकी

MOSFET (Metal Oxide)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PG-DSO-8

विद्युत अपव्यय (अधिकतम)

1.56W (Ta)

एफईटी प्रकार

P-Channel

एफईटी सुविधा

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

30V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

7.4A (Ta)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

20 mOhm @ 9.1A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.5V @ 100µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

54nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

2330pF @ 25V

ड्राइव वोल्टेज (अधिकतम आरडीएस चालू, न्यूनतम आरडीएस चालू)

10V

वीजीएस (अधिकतम)

±25V

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