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NTHD2102PT1

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

भाग संख्या

NTHD2102PT1

निर्माता/ब्रांड

ON Semiconductor

शृंखला

भाग स्थिति

Obsolete

पैकेजिंग

Tape & Reel (TR)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 150°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

8-SMD, Flat Lead

शक्ति - अधिकतम

1.1W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

ChipFET™

एफईटी प्रकार

2 P-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Logic Level Gate

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

3.4A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

58 mOhm @ 3.4A, 4.5V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

16nC @ 2.5V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

715pF @ 6.4V

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