NTHD3100CT1
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
भाग संख्या
NTHD3100CT1
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-SMD, Flat Lead
शक्ति - अधिकतम
1.1W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
ChipFET™
एफईटी प्रकार
N and P-Channel
एफईटी सुविधा
Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
2.9A, 3.2A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
2.3nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
165pF @ 10V
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