NTHD4508NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET
भाग संख्या
NTHD4508NT1G
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Active
पैकेजिंग
Tape & Reel (TR)
परिचालन तापमान
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Surface Mount
पैकेज/केस
8-SMD, Flat Lead
शक्ति - अधिकतम
1.13W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
ChipFET™
एफईटी प्रकार
2 N-Channel (Dual)
एफईटी सुविधा
Logic Level Gate
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
20V
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
3A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1.2V @ 250µA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
4nC @ 4.5V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
180pF @ 10V
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