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QJD1210010

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC

भाग संख्या

QJD1210010

निर्माता/ब्रांड

Powerex Inc.

शृंखला

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Bulk

परिचालन तापमान

-40°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Chassis Mount

पैकेज/केस

Module

शक्ति - अधिकतम

1080W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

Module

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

1200V (1.2kV)

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

100A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

25 mOhm @ 100A, 20V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

5V @ 10mA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

500nC @ 20V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

10200pF @ 800V

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