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QJD1210SA2

QJD1210SA2

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
भाग संख्या
QJD1210SA2
निर्माता/ब्रांड
शृंखला
-
भाग स्थिति
Obsolete
पैकेजिंग
Bulk
परिचालन तापमान
-40°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिंग का प्रकार
Chassis Mount
पैकेज/केस
Module
शक्ति - अधिकतम
415W
आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज
Module
एफईटी प्रकार
2 N-Channel (Dual)
एफईटी सुविधा
Standard
ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)
1200V (1.2kV)
वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस
100A
आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस
17 mOhm @ 100A, 15V
वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी
1.6V @ 34mA
गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस
330nC @ 15V
इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस
8200pF @ 10V
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