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SQJ200EP-T1_GE3

MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO

भाग संख्या

SQJ200EP-T1_GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

पैकेजिंग

Cut Tape (CT)

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SO-8 Dual

शक्ति - अधिकतम

27W, 48W

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual)

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

20V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

20A, 60A

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

8.8 mOhm @ 16A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

2V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

18nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

975pF @ 10V

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