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SQJ204EP-T1_GE3

MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L

भाग संख्या

SQJ204EP-T1_GE3

निर्माता/ब्रांड

Vishay Siliconix

शृंखला

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

भाग स्थिति

Active

परिचालन तापमान

-55°C ~ 175°C (TJ)

माउन्टिंग का प्रकार

Surface Mount

पैकेज/केस

PowerPAK® SO-8 Dual

शक्ति - अधिकतम

27W (Tc), 48W (Tc)

आपूर्तिकर्ता डिवाइस पैकेज

PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

एफईटी प्रकार

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

एफईटी सुविधा

Standard

ड्रेन टू सोर्स वोल्टेज (वीडीएसएस)

12V

वर्तमान - सतत नाली (आईडी) @ 25 डिग्री सेल्सियस

20A (Tc), 60A (Tc)

आरडीएस ऑन (अधिकतम) @ आईडी, वीजीएस

8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V

वीजीएस(वें) (अधिकतम) @आईडी

1.5V @ 250µA

गेट चार्ज (क्यूजी) (अधिकतम) @ वीजीएस

20nC @ 10V, 50nC @ 10V

इनपुट कैपेसिटेंस (सीआईएस) (अधिकतम) @ वीडीएस

1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V

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